Anorganische Chemie ist eine frei verfügbare Einführung in die anorganische Chemie. Details zum Buch finden Sie im Editorial....


Indiumgalliumarsenid

Autor: Hans Lohninger

Indiumgalliumarsenid, InGaAs, ist ein III-V-Halbleiter, der eine sehr hohe Elektronenmobilität aufweist und deshalb in HEMTs (high electron mobility transistor) für Hochfrequenzanwendungen eingesetzt wird. Der Bandabstand von Indiumgalliumarsenid ermöglicht die Verwendung von Indiumgalliumarsenid als optischer Detektor für IR wie es in Glasfaserkabeln verwendet wird.

Die Eigenschaften von Indiumgalliumarsenid lassen sich durch Variation des relativen Indiumanteils beeinflussen. Möglich ist jede Mischung von Indium und Gallium, so dass man die Formel für Indiumgalliumarsenid korrekterweise mit InxGa1-xAs angeben muss. An den Extrempunkten stehen dann Galliumarsenid (x=0.0) und Indiumasenid (x=1.0).

Je kleiner der Indiumanteil, desto höher ist der Bandabstand. Da der Indiumanteil auch die Größe des Gitterabstands beeinflusst, kann man diesen so einstellen, dass das Indiumgalliumarsenid ohne mechanische Spannungen auf das Substrat (meist Indiumphosphid, InP) aufgebracht werden kann. Für InP als Trägermaterial muss x = 0.53 sein, für Germanium decken sich die Gitterabstände mit x = 0.015.

Typische Anwendungen für Indiumgalliumarsenid sind neben schnellen Transistoren Leuchtdioden, IR-Laser und IR-Detektoren.



Last Update: 2013-08-08